창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB15N50 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB/FDH/FDP15N50 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB15N50-ND FDB15N50TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB15N50 | |
관련 링크 | FDB1, FDB15N50 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGR202U075R3C | 2000µF 75V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 22 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | CGR202U075R3C.pdf | |
564R20TSD10 | 1000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 0.402" Dia(10.20mm) | 564R20TSD10.pdf | ||
![]() | C901U309CYNDCAWL40 | 3pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U309CYNDCAWL40.pdf | |
![]() | APA3010F3C | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 0.4mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, No Lead | APA3010F3C.pdf | |
![]() | 1N1232N | 1N1232N FAIRCHILD DIP-8 | 1N1232N.pdf | |
![]() | 1.5 80Psi | 1.5 80Psi ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.5 80Psi.pdf | |
![]() | 102J630V | 102J630V ORIGINAL SMD or Through Hole | 102J630V.pdf | |
![]() | 74LVC244ABD | 74LVC244ABD PHI SSOP | 74LVC244ABD.pdf | |
![]() | SI6501DQ-T1 | SI6501DQ-T1 Siliconix SMD or Through Hole | SI6501DQ-T1.pdf |