창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCPF7N60YDTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCP7N60, FCPF7N60(YDTU) | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 31W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCPF7N60YDTU | |
| 관련 링크 | FCPF7N6, FCPF7N60YDTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C1005X7R1E473M050BC | 0.047µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005X7R1E473M050BC.pdf | |
![]() | AT0603BRD0761R9L | RES SMD 61.9 OHM 0.1% 1/10W 0603 | AT0603BRD0761R9L.pdf | |
![]() | PLT0603Z5761LBTS | RES SMD 5.76K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z5761LBTS.pdf | |
![]() | CMF5510K000CHEA | RES 10K OHM 1/2W 0.25% AXIAL | CMF5510K000CHEA.pdf | |
![]() | X2404D | X2404D ORIGINAL CDIP8 | X2404D.pdf | |
![]() | L4962ZEHA | L4962ZEHA ST TO220-7 | L4962ZEHA.pdf | |
![]() | SVSC6408VTR | SVSC6408VTR ORIGINAL SMD or Through Hole | SVSC6408VTR.pdf | |
![]() | FBI6G7M1 | FBI6G7M1 FAGOR DIP-4A | FBI6G7M1.pdf | |
![]() | SC22011CN | SC22011CN sierra SMD or Through Hole | SC22011CN.pdf | |
![]() | KLD085VC-LTH32 | KLD085VC-LTH32 KYOSEMI DIP2DIP18TO | KLD085VC-LTH32.pdf | |
![]() | OPA3875IDBQRE4 | OPA3875IDBQRE4 TI- SMD or Through Hole | OPA3875IDBQRE4.pdf | |
![]() | AAT3222IGV-2.7 TEL:82766440 | AAT3222IGV-2.7 TEL:82766440 AAT SMD or Through Hole | AAT3222IGV-2.7 TEL:82766440.pdf |