창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCPF16N60 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCP16N60, FCPF16N60 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 37.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCPF16N60 | |
| 관련 링크 | FCPF1, FCPF16N60 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5355B/TR8 | DIODE ZENER 18V 5W T18 | 1N5355B/TR8.pdf | |
![]() | 333-B1C1-APSA-P-MS | 333-B1C1-APSA-P-MS EVERLGHT DIP | 333-B1C1-APSA-P-MS.pdf | |
![]() | ADC7109 | ADC7109 DATEL DIP | ADC7109.pdf | |
![]() | PMB6618RV2.1. | PMB6618RV2.1. INFINEON TSSOP38 | PMB6618RV2.1..pdf | |
![]() | HLW10R-2C7LF | HLW10R-2C7LF BERG SMD or Through Hole | HLW10R-2C7LF.pdf | |
![]() | LM21SH | LM21SH ORIGINAL SMD or Through Hole | LM21SH.pdf | |
![]() | TC7SH00FU(RSN | TC7SH00FU(RSN TOSHIBA USV | TC7SH00FU(RSN.pdf | |
![]() | LQW18AN9N5D00J | LQW18AN9N5D00J ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW18AN9N5D00J.pdf | |
![]() | MHCI06018-4R7M-R8 | MHCI06018-4R7M-R8 ORIGINAL SMD or Through Hole | MHCI06018-4R7M-R8.pdf | |
![]() | CD7611CP | CD7611CP N/A DIP | CD7611CP.pdf | |
![]() | P6010DDG | P6010DDG NIKO TO-252 | P6010DDG.pdf |