창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5355B/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5355B/TR8 | |
관련 링크 | 1N5355, 1N5355B/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | MPI4040R1-3R3-R | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 115 mOhm 1816 (4540 Metric) | MPI4040R1-3R3-R.pdf | |
![]() | TRR03EZPJ125 | RES SMD 1.2M OHM 5% 1/10W 0603 | TRR03EZPJ125.pdf | |
![]() | ERJ-S12F6192U | RES SMD 61.9K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F6192U.pdf | |
![]() | AR30V0R-11R | AR30V0R-11R FUJIELECTRICHOLDINGSCOLTD SMD or Through Hole | AR30V0R-11R.pdf | |
![]() | SRA-51T-H5 | SRA-51T-H5 JST ROHS | SRA-51T-H5.pdf | |
![]() | 16V-rlzte-11 | 16V-rlzte-11 ORIGINAL SMD or Through Hole | 16V-rlzte-11.pdf | |
![]() | D4J1942F2132-17 | D4J1942F2132-17 cij SMD or Through Hole | D4J1942F2132-17.pdf | |
![]() | T395KN-0870P3 | T395KN-0870P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | T395KN-0870P3.pdf | |
![]() | CSTCW_X | CSTCW_X MURATA SMD or Through Hole | CSTCW_X.pdf | |
![]() | KM68V1002BJI-8 | KM68V1002BJI-8 SAMSUNG SOJ | KM68V1002BJI-8.pdf |