창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCP11N60F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCP11N60F TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | SuperFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FCP11N60F-ND FCP11N60FFS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCP11N60F | |
| 관련 링크 | FCP11, FCP11N60F 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | BFC233828343 | 0.034µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | BFC233828343.pdf | |
![]() | PLTT0805Z4482AGT5 | RES SMD 44.8KOHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z4482AGT5.pdf | |
![]() | CRCW1206698KFKEAHP | RES SMD 698K OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW1206698KFKEAHP.pdf | |
![]() | 766161821GPTR7 | RES ARRAY 15 RES 820 OHM 16SOIC | 766161821GPTR7.pdf | |
![]() | VI-J7L-IY | VI-J7L-IY VICOR SMD or Through Hole | VI-J7L-IY.pdf | |
![]() | M5L8049-390P-6 | M5L8049-390P-6 MITSUBIS DIP | M5L8049-390P-6.pdf | |
![]() | S4P01 | S4P01 ON SOP8 | S4P01.pdf | |
![]() | M57140 | M57140 MIT SMD or Through Hole | M57140.pdf | |
![]() | TNY268YN | TNY268YN ORIGINAL DIP | TNY268YN.pdf | |
![]() | DS80C320QCG DC03 | DS80C320QCG DC03 HOSONI SMD or Through Hole | DS80C320QCG DC03.pdf | |
![]() | FDP13N50C | FDP13N50C FAIRCHILD TO-220 | FDP13N50C.pdf |