창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FCH041N65EFL4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FCH041N65EFL4 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Introduction to Power MOSFETs MOSFET Basics FRFET in Synchronous Rectification AN-9005 Application Note Power MOSFET Avalanche Guideline | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FCH041N65EFL4 Material Declaration FCH041N65EFL4 Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | FRFET®, SuperFET® II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 76A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 38A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 7.6mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 298nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12560pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 595W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-4 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-4L | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FCH041N65EFL4 | |
| 관련 링크 | FCH041N, FCH041N65EFL4 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | UPA811T-T1-A | RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363 | UPA811T-T1-A.pdf | |
| .jpg) | CRCW0603390RFKEA | RES SMD 390 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603390RFKEA.pdf | |
|  | RCP2512B360RJS2 | RES SMD 360 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B360RJS2.pdf | |
|  | KPA3010SGC-PE | KPA3010SGC-PE ORIGINAL SMD or Through Hole | KPA3010SGC-PE.pdf | |
|  | ML12009EP | ML12009EP LANSDALE DIP | ML12009EP.pdf | |
|  | CP3BT13 | CP3BT13 NSC SMD or Through Hole | CP3BT13.pdf | |
|  | 2RM470M-5 | 2RM470M-5 IB SMD | 2RM470M-5.pdf | |
|  | W5NA90 | W5NA90 ST TO-247 | W5NA90.pdf | |
|  | KHC101E225Z55R0T00 | KHC101E225Z55R0T00 ORIGINAL ORIGINAL | KHC101E225Z55R0T00.pdf | |
|  | HD643317 | HD643317 ORIGINAL SMD or Through Hole | HD643317.pdf | |
|  | S-8051ANB-NB-T1/ | S-8051ANB-NB-T1/ SEIKO SMD or Through Hole | S-8051ANB-NB-T1/.pdf |