창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ESS8380SBA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ESS8380SBA | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ESS8380SBA | |
| 관련 링크 | ESS838, ESS8380SBA 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | LBMF1608T1R0M | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 230mA 90 mOhm 0603 (1608 Metric) | LBMF1608T1R0M.pdf | |
![]() | RMCF1210FT1K58 | RES SMD 1.58K OHM 1% 1/3W 1210 | RMCF1210FT1K58.pdf | |
![]() | PXV1220S-6DBN3-T02 | RF Attenuator 6dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-6DBN3-T02.pdf | |
![]() | DA8551T | DA8551T NXP SMD or Through Hole | DA8551T.pdf | |
![]() | OLD12 | OLD12 ORIGINAL BGA | OLD12.pdf | |
![]() | K4S511632B-TC60 | K4S511632B-TC60 SAMSUNG TSOP | K4S511632B-TC60.pdf | |
![]() | C85302E | C85302E IC DIP-40 | C85302E.pdf | |
![]() | DTSM-644N-TR | DTSM-644N-TR DIPTRONICS SMD or Through Hole | DTSM-644N-TR.pdf | |
![]() | PCA82C251N/T | PCA82C251N/T PHI SMD or Through Hole | PCA82C251N/T.pdf | |
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