창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA045N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA045N10N3 G | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 64A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA045N10N3 G IPA045N10N3 G-ND IPA045N10N3G SP000478912 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA045N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPA045N10N, IPA045N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | EKMS501VSN560MP30S | 56µF 500V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | EKMS501VSN560MP30S.pdf | |
![]() | SMCJ12CE3/TR13 | TVS DIODE 12VWM 22VC SMCJ | SMCJ12CE3/TR13.pdf | |
![]() | GPDNQR | RELAY | GPDNQR.pdf | |
![]() | CMF5082R800DHEB | RES 82.8 OHM 1/4W 0.5% AXIAL | CMF5082R800DHEB.pdf | |
![]() | CPW1547R00JE14 | RES 47 OHM 15W 5% AXIAL | CPW1547R00JE14.pdf | |
![]() | M50561FP | M50561FP MIT SOP | M50561FP.pdf | |
![]() | TIPAL16R6A-4CN | TIPAL16R6A-4CN MMI SMD or Through Hole | TIPAL16R6A-4CN.pdf | |
![]() | LM1117LDX-3.3 | LM1117LDX-3.3 NSC LLP-8 | LM1117LDX-3.3.pdf | |
![]() | TactswitchSMD | TactswitchSMD TELELONG SMD or Through Hole | TactswitchSMD.pdf | |
![]() | UPC2709T-E3-A | UPC2709T-E3-A NEC SOT23-6 | UPC2709T-E3-A.pdf | |
![]() | MOS3362R6 | MOS3362R6 MOSTEK DIP48 | MOS3362R6.pdf | |
![]() | VT102QXADJ | VT102QXADJ VOLTERRA SMD or Through Hole | VT102QXADJ.pdf |