창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ES2DHE3J_A/H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ES2A thru ES2D | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 2A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 20ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AA(SMB) | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 750 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ES2DHE3J_A/H | |
| 관련 링크 | ES2DHE3, ES2DHE3J_A/H 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RMCF0603FT499K | RES SMD 499K OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FT499K.pdf | |
![]() | FAR-F6KB-1G8625-B4GT | FAR-F6KB-1G8625-B4GT FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F6KB-1G8625-B4GT.pdf | |
![]() | CA3028T/3 | CA3028T/3 Intersil CAN | CA3028T/3.pdf | |
![]() | 16.00000MHz | 16.00000MHz ORIGINAL DIP | 16.00000MHz.pdf | |
![]() | 855472 | 855472 SAWTEK NA | 855472.pdf | |
![]() | S-3531AEFS-TB. | S-3531AEFS-TB. SEIKO TSSOP8 | S-3531AEFS-TB..pdf | |
![]() | CPF2R10000GNE14 | CPF2R10000GNE14 DLE SMD or Through Hole | CPF2R10000GNE14.pdf | |
![]() | XCV1600EFG1156 | XCV1600EFG1156 XILINX BGA | XCV1600EFG1156.pdf | |
![]() | 74LS154DC | 74LS154DC ORIGINAL DIP | 74LS154DC.pdf | |
![]() | CBB81 1600V333J | CBB81 1600V333J ORIGINAL SMD or Through Hole | CBB81 1600V333J.pdf | |
![]() | NE894M13 NOPB | NE894M13 NOPB NEC SOT523 | NE894M13 NOPB.pdf | |
![]() | SIW1701NI | SIW1701NI SILICON SMD or Through Hole | SIW1701NI.pdf |