창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-VF2M151 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZ-VF2M151 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2351 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 135V | |
배리스터 전압(통상) | 150V | |
배리스터 전압(최대) | 165V | |
전류 - 서지 | 600A | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 95VAC | |
최대 DC 전압 | 125VDC | |
에너지 | 14.5J | |
패키지/케이스 | 2-SMD, J-리드(Lead) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT), MLCV | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | ERZVF2M151 P7340TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-VF2M151 | |
관련 링크 | ERZ-VF, ERZ-VF2M151 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
CL21C2R2BBANNND | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C2R2BBANNND.pdf | ||
0313.250MXP | FUSE GLASS 250MA 250VAC 3AB 3AG | 0313.250MXP.pdf | ||
1N5408RLG | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD | 1N5408RLG.pdf | ||
2N5115JTXV02 | JFET P-CH 30V TO-18 | 2N5115JTXV02.pdf | ||
ISL12027IV27AZ-T | ISL12027IV27AZ-T INTERSIL TSSOP-8 | ISL12027IV27AZ-T.pdf | ||
TLV3702IDGKG4(AKD) | TLV3702IDGKG4(AKD) TI MSOP | TLV3702IDGKG4(AKD).pdf | ||
JHV34H40 | JHV34H40 N/A NULL | JHV34H40.pdf | ||
231923-7510/PBFG43 | 231923-7510/PBFG43 FUJ QFP | 231923-7510/PBFG43.pdf | ||
HSMS286B | HSMS286B Avago SMD or Through Hole | HSMS286B.pdf | ||
CS514J | CS514J CS SOP8 | CS514J.pdf | ||
DT180F | DT180F EUPEC FBGA | DT180F.pdf | ||
SMB1252PF0013GT30G50 | SMB1252PF0013GT30G50 AMPHENOL SMD or Through Hole | SMB1252PF0013GT30G50.pdf |