창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E10B112CS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet ERZ-E10 New Prod Intro | |
주요제품 | Hot New Technologies | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 990V | |
배리스터 전압(통상) | 1100V(1.1kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1210V(1.21kV) | |
전류 - 서지 | 4.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 680VAC | |
최대 DC 전압 | 895VDC | |
에너지 | 196J | |
패키지/케이스 | 12.50mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ERZE10B112CS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-E10B112CS | |
관련 링크 | ERZ-E10, ERZ-E10B112CS 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | CMR05F271GPDM | CMR MICA | CMR05F271GPDM.pdf | |
![]() | NVD5867NLT4G | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | NVD5867NLT4G.pdf | |
![]() | PI49FCT807TS | PI49FCT807TS PERICOM SOP | PI49FCT807TS.pdf | |
![]() | R4S641632N-L175 | R4S641632N-L175 SAMSUN BGA | R4S641632N-L175.pdf | |
![]() | L-793SRC-B | L-793SRC-B KIBGBRIGHT ROHS | L-793SRC-B.pdf | |
![]() | ERJ1GEJ560C | ERJ1GEJ560C PANASONIC SMD | ERJ1GEJ560C.pdf | |
![]() | UTC78M15 | UTC78M15 YW TO252 | UTC78M15.pdf | |
![]() | HE05F | HE05F AGILENT QFN | HE05F.pdf | |
![]() | MAX5875EGK | MAX5875EGK MAX QFN | MAX5875EGK.pdf | |
![]() | 084609375ALCA TEL2440H21AA815 | 084609375ALCA TEL2440H21AA815 ALCATEL SMD or Through Hole | 084609375ALCA TEL2440H21AA815.pdf | |
![]() | MP3-X10 | MP3-X10 WIMA SMD or Through Hole | MP3-X10.pdf | |
![]() | 1-146386-6 | 1-146386-6 AMP/TYCO AMP | 1-146386-6.pdf |