창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E10A431CS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet ERZ-E10 New Prod Intro | |
| 주요제품 | Hot New Technologies | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | ZNR® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | 387V | |
| 배리스터 전압(통상) | 430V | |
| 배리스터 전압(최대) | 473V | |
| 전류 - 서지 | 4.5kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 275VAC | |
| 최대 DC 전압 | 350VDC | |
| 에너지 | 99J | |
| 패키지/케이스 | 11.5mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | ERZE10A431CS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ERZ-E10A431CS | |
| 관련 링크 | ERZ-E10, ERZ-E10A431CS 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
|  | 06035J2R7QBTTR | 2.7pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J2R7QBTTR.pdf | |
|  | SA2K-M3/5AT | DIODE GPP 2A 800V DO-214AC | SA2K-M3/5AT.pdf | |
|  | MMB02070C8203FB200 | RES SMD 820K OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C8203FB200.pdf | |
|  | RG2012N-2492-B-T5 | RES SMD 24.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-2492-B-T5.pdf | |
|  | 74HC1245 | 74HC1245 ORIGINAL SOP | 74HC1245.pdf | |
|  | SDC-36A H-A | SDC-36A H-A DDC SMD or Through Hole | SDC-36A H-A.pdf | |
|  | SDCZ36-016G | SDCZ36-016G Sandisk SMD or Through Hole | SDCZ36-016G.pdf | |
|  | 54LS595J | 54LS595J TI SMD or Through Hole | 54LS595J.pdf | |
|  | 88E1000S-RJJ | 88E1000S-RJJ ORIGINAL SMD or Through Hole | 88E1000S-RJJ.pdf | |
|  | N6117DAG | N6117DAG M-TEK DIP6 | N6117DAG.pdf | |
|  | KRE35VB4R7M4X5LL | KRE35VB4R7M4X5LL NIPPON SMD or Through Hole | KRE35VB4R7M4X5LL.pdf |