창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC8004 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC8004 Datasheet eGaN® FET Brief | |
| 애플리케이션 노트 | eGaN FETs for Multi-Megahertz Hard Switching Applications Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 500mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.45nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 52pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 917-1072-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC8004 | |
| 관련 링크 | EPC8, EPC8004 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | ELC-16B221L | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 1.9A 130 mOhm Radial | ELC-16B221L.pdf | |
![]() | 6B10000172 | 6B10000172 TXC SMD or Through Hole | 6B10000172.pdf | |
![]() | M5M5178 | M5M5178 MITSUBISHI DIP | M5M5178.pdf | |
![]() | AK8569A | AK8569A AKM QFP | AK8569A.pdf | |
![]() | DRAN120-24A | DRAN120-24A CHINFA SMD or Through Hole | DRAN120-24A.pdf | |
![]() | 7812 ST | 7812 ST CJ SOT-23 | 7812 ST.pdf | |
![]() | MB621132 | MB621132 FUJ QFP | MB621132.pdf | |
![]() | BD82Q57SLGZW | BD82Q57SLGZW INTEL SMD or Through Hole | BD82Q57SLGZW.pdf | |
![]() | EVQ-PNF05M | EVQ-PNF05M PANASONIC SMD or Through Hole | EVQ-PNF05M.pdf | |
![]() | HM511000AP-12 | HM511000AP-12 HIT DIP-18 | HM511000AP-12.pdf | |
![]() | 2N135 | 2N135 MOT CAN | 2N135.pdf | |
![]() | QM5192V | QM5192V PHILIPS SSOP40 | QM5192V.pdf |