창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2101ENG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2101 Preliminary Datasheet | |
애플리케이션 노트 | GaN Integration for Higher DC-DC Efficiency and Power Density | |
제품 교육 모듈 | eGaN® Integrated GaN Power | |
주요제품 | EPC - EPC9037/EPC9041 Development Boards | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.5A, 38A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.5m옴 @ 20A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 3mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.7nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 30V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC2101ENG EPC2101ENGR_H5 EPC2101ENGRH5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2101ENG | |
관련 링크 | EPC210, EPC2101ENG 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
![]() | ATS270ASM-1 | 27MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS270ASM-1.pdf | |
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![]() | TNPW2512866KBETG | RES SMD 866K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512866KBETG.pdf | |
![]() | ADCMP600BKSZ-RII | ADCMP600BKSZ-RII AD SOT23 | ADCMP600BKSZ-RII.pdf | |
![]() | IF4E33N20 | IF4E33N20 FSC TO-268D3PAK | IF4E33N20.pdf | |
![]() | 382-44830-9258 | 382-44830-9258 ORIGINAL SMD or Through Hole | 382-44830-9258.pdf | |
![]() | CXD2500 | CXD2500 SONY O | CXD2500.pdf | |
![]() | HLMF-D3002UR | HLMF-D3002UR Lattice SOP8 | HLMF-D3002UR.pdf | |
![]() | KV1851TL | KV1851TL TOKO SOT23 | KV1851TL.pdf | |
![]() | MOC3021STA-V | MOC3021STA-V LITE-ON SMD or Through Hole | MOC3021STA-V.pdf | |
![]() | AR8152-A | AR8152-A ATHEROS QFN | AR8152-A.pdf | |
![]() | GRM033R60J333KE01 | GRM033R60J333KE01 MURATA SMD or Through Hole | GRM033R60J333KE01.pdf |