창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2036 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2035,36 Product Highlight EPC2036 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC - GaN Performance at MOSFET Value | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 1A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 600µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.91nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 90pF @ 50V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 917-1100-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2036 | |
관련 링크 | EPC2, EPC2036 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
VJ0402D0R4CXXAP | 0.40pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R4CXXAP.pdf | ||
2225JC221KAT1A | 220pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225JC221KAT1A.pdf | ||
RG1005P-1430-D-T10 | RES SMD 143 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005P-1430-D-T10.pdf | ||
736441017 | 736441017 MOLEX SMD or Through Hole | 736441017.pdf | ||
1SS388(TL3 | 1SS388(TL3 TOSHIBA NA | 1SS388(TL3.pdf | ||
223614-1 | 223614-1 TYCO con | 223614-1.pdf | ||
M4002BP | M4002BP MIT DIP | M4002BP.pdf | ||
GCM2195C2A151JD24D | GCM2195C2A151JD24D MURATA SMD | GCM2195C2A151JD24D.pdf | ||
MPSA13L TO-92 T/B | MPSA13L TO-92 T/B UTC TO92TB | MPSA13L TO-92 T/B.pdf | ||
TD62503 | TD62503 TOSHIBA SOP16L | TD62503.pdf | ||
R5F21132FPU0 | R5F21132FPU0 RENESAS SMD or Through Hole | R5F21132FPU0.pdf |