창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2029 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2029 Preliminary Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 30A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 12mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1410pF @ 40V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 917-1107-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2029 | |
관련 링크 | EPC2, EPC2029 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
![]() | IS43R16800CC-5TL | IS43R16800CC-5TL ISSI TSOP | IS43R16800CC-5TL.pdf | |
![]() | 500V15000UF | 500V15000UF ORIGINAL 90X220 | 500V15000UF.pdf | |
![]() | B1021 | B1021 ORIGINAL TO-220 | B1021.pdf | |
![]() | FDD16N05 | FDD16N05 FAIRCHIL TO-252 | FDD16N05.pdf | |
![]() | M51147L | M51147L MIT ZIP-8 | M51147L.pdf | |
![]() | HCT04M | HCT04M TI SMD or Through Hole | HCT04M.pdf | |
![]() | GFB70N03 | GFB70N03 GS SMD or Through Hole | GFB70N03.pdf | |
![]() | TLP591B-F | TLP591B-F TOSHIBA DIP-5 | TLP591B-F.pdf | |
![]() | AIC1084CM-2.5 | AIC1084CM-2.5 ORIGINAL TO-263 | AIC1084CM-2.5.pdf | |
![]() | NFM51R30P507M0 | NFM51R30P507M0 MURATA SMD or Through Hole | NFM51R30P507M0.pdf | |
![]() | 50ME560AX | 50ME560AX SANYO SMD or Through Hole | 50ME560AX.pdf | |
![]() | LH5P8128N60 | LH5P8128N60 SHARP SMD or Through Hole | LH5P8128N60.pdf |