창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2025 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2025 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 3A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 194pF @ 240V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 917-1125-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2025 | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2025 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | CGA1A2C0G1E030C030BA | 3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CGA1A2C0G1E030C030BA.pdf | |
![]() | T700123504BY | SCR PHASE CTRL MOD 1200V 350A | T700123504BY.pdf | |
![]() | TAJY226M020R | TAJY226M020R AVX SMD or Through Hole | TAJY226M020R.pdf | |
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![]() | HE1195-0-F-000 7570494-928 | HE1195-0-F-000 7570494-928 ORIGINAL QFP32 | HE1195-0-F-000 7570494-928.pdf | |
![]() | R1114D271D-TR-FB | R1114D271D-TR-FB RICOH SOT363 | R1114D271D-TR-FB.pdf | |
![]() | ER114-26 | ER114-26 TELEDYNE SMD or Through Hole | ER114-26.pdf | |
![]() | V300B5T200AL | V300B5T200AL VICOR DC-DC | V300B5T200AL.pdf | |
![]() | M3X20904600320 | M3X20904600320 ORIGINAL SMD or Through Hole | M3X20904600320.pdf | |
![]() | PLT1.5I-M300 | PLT1.5I-M300 PANDUIT/WSI SMD or Through Hole | PLT1.5I-M300.pdf | |
![]() | BZX55/C 91 | BZX55/C 91 ST SMD or Through Hole | BZX55/C 91.pdf | |
![]() | IRFS1470TRLPBF | IRFS1470TRLPBF IR TO-263(D2PAK) | IRFS1470TRLPBF.pdf |