창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2025 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2025 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 3A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 194pF @ 240V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 917-1125-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2025 | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2025 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
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![]() | C0805C200G2GACTU | 20pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C200G2GACTU.pdf | |
![]() | SRN4018-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 84 mOhm Max Nonstandard | SRN4018-4R7M.pdf | |
![]() | M74HCT00M1TR | M74HCT00M1TR ST SMD or Through Hole | M74HCT00M1TR.pdf | |
![]() | SMTD-100H-08 | SMTD-100H-08 SEMPO MODULE | SMTD-100H-08.pdf | |
![]() | LTKD(LTC1771EMS8) | LTKD(LTC1771EMS8) LT SOP-8 | LTKD(LTC1771EMS8).pdf | |
![]() | LM48311TL | LM48311TL NS LM48311TL NOPB | LM48311TL.pdf | |
![]() | BSM10GD60N2 | BSM10GD60N2 EUPEC SMD or Through Hole | BSM10GD60N2.pdf | |
![]() | UPD74HC126G-T1 | UPD74HC126G-T1 NEC SOP | UPD74HC126G-T1.pdf | |
![]() | TD2303E20T | TD2303E20T TAIDIAN SOT23-3 | TD2303E20T.pdf | |
![]() | RM15WTPZ-10S/71 | RM15WTPZ-10S/71 HIROSE SMD or Through Hole | RM15WTPZ-10S/71.pdf |