창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2024ENGR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2024 Datasheet Preliminary | |
애플리케이션 노트 | Fourth Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
제품 교육 모듈 | eGaN-based Eighth Brick Converter | |
주요제품 | Gen 4 eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 37A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 19mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 20V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 917-EPC2024ENGRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2024ENGR | |
관련 링크 | EPC202, EPC2024ENGR 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
CEP12D38NP-1R8MC | 1.8µH Shielded Inductor 10A 7.2 mOhm Max Nonstandard | CEP12D38NP-1R8MC.pdf | ||
ESR10EZPF1131 | RES SMD 1.13K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF1131.pdf | ||
Y00076K00000T9L | RES 6K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00076K00000T9L.pdf | ||
EPM9560RC240-2 | EPM9560RC240-2 ALTERA SMD or Through Hole | EPM9560RC240-2.pdf | ||
MD8751H-B/B | MD8751H-B/B NULL DIP-14 | MD8751H-B/B.pdf | ||
2N791A | 2N791A ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N791A.pdf | ||
KRC407V-RTL | KRC407V-RTL KECCorporation SMD or Through Hole | KRC407V-RTL.pdf | ||
TPG009A | TPG009A N/A QFP | TPG009A.pdf | ||
2220B104K501N | 2220B104K501N NOV SMD or Through Hole | 2220B104K501N.pdf | ||
CRG2G220F | CRG2G220F ORIGINAL SMD or Through Hole | CRG2G220F.pdf | ||
PS321AO | PS321AO ORIGINAL QFP | PS321AO.pdf | ||
Q5044 | Q5044 QTC DIP-8 | Q5044.pdf |