창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EMA8T2R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMA8, UMA8N, FMA8A | |
| 카탈로그 페이지 | 1638 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD(5리드), 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | EMT5 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | EMA8T2RTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EMA8T2R | |
| 관련 링크 | EMA8, EMA8T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CDBUR0230R | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603 | CDBUR0230R.pdf | |
![]() | S2E-48V | S2E-48V NAIS SMD or Through Hole | S2E-48V.pdf | |
![]() | UPD78P0308YGC-8U | UPD78P0308YGC-8U NEC QFP64 | UPD78P0308YGC-8U.pdf | |
![]() | 0805-0.33R1% | 0805-0.33R1% XYT SMD or Through Hole | 0805-0.33R1%.pdf | |
![]() | BQ24075RGTRG4 | BQ24075RGTRG4 TI/BB QFN16 | BQ24075RGTRG4.pdf | |
![]() | MB84073PF | MB84073PF FUJITTSU SOP | MB84073PF.pdf | |
![]() | TC1072-1.8VCH713 | TC1072-1.8VCH713 Microchip SOT163 | TC1072-1.8VCH713.pdf | |
![]() | HSG28D15 | HSG28D15 ORIGINAL SMD or Through Hole | HSG28D15.pdf | |
![]() | T20-1157W | T20-1157W LAMPON SMD or Through Hole | T20-1157W.pdf | |
![]() | PCI2050PQI | PCI2050PQI TI QFP | PCI2050PQI.pdf | |
![]() | WS1214-40 | WS1214-40 M SMD or Through Hole | WS1214-40.pdf | |
![]() | MAX1857EUA47-T | MAX1857EUA47-T MAX SMD or Through Hole | MAX1857EUA47-T.pdf |