창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-DWM-36-60-G-D-540 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | DWM-36-60-G-D-540 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | ORIGINAL | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | DWM-36-60-G-D-540 | |
관련 링크 | DWM-36-60-, DWM-36-60-G-D-540 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | EEE-FP1A681AP | 680µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 80 mOhm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C | EEE-FP1A681AP.pdf | |
![]() | VJ0603D330MXBAC | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D330MXBAC.pdf | |
![]() | ECK-D3F821KBP | 820pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | ECK-D3F821KBP.pdf | |
![]() | GL040F35IET | 4MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL040F35IET.pdf | |
![]() | ABM11AIG-19.200MHZ-J4Z-T3 | 19.2MHz ±30ppm 수정 10pF 150옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11AIG-19.200MHZ-J4Z-T3.pdf | |
![]() | BZM55C39-TR3 | DIODE ZENER 500MW MICROMELF | BZM55C39-TR3.pdf | |
![]() | HF1008R-222J | 2.2µH Unshielded Inductor 300mA 1.65 Ohm Max Nonstandard | HF1008R-222J.pdf | |
![]() | GT27C040 | GT27C040 GENITOP SOP28 | GT27C040.pdf | |
![]() | 2SC1623A-T1B-A | 2SC1623A-T1B-A NEC SOT-23 | 2SC1623A-T1B-A.pdf | |
![]() | X3530BCBC | X3530BCBC TI BGA | X3530BCBC.pdf | |
![]() | SP1086V2-L-2-5/TR | SP1086V2-L-2-5/TR SIPEX TO-252 | SP1086V2-L-2-5/TR.pdf | |
![]() | HTT1115S | HTT1115S RENESAS SOT-163 | HTT1115S.pdf |