홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DTDG14GPT100

Rohm Semiconductor DTDG14GPT100

DTDG14GPT100
제조업체 부품 번호
DTDG14GPT100
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
데이터 시트 다운로드
다운로드
DTDG14GPT100 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 176.28399
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DTDG14GPT100 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. DTDG14GPT100 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DTDG14GPT100가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DTDG14GPT100 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DTDG14GPT100 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DTDG14GPT100
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DTDG14GP
카탈로그 페이지 1635 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)60V
저항기 - 베이스(R1)(옴)-
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce300 @ 500mA, 2V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션80MHz
전력 - 최대2W
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지MPT3
표준 포장 1,000
다른 이름DTDG14GPT100TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DTDG14GPT100
관련 링크DTDG14G, DTDG14GPT100 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
DTDG14GPT100 의 관련 제품
3900pF Film Capacitor 300V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.197" W (10.00mm x 5.00mm) BFC233866392.pdf
RES SMD 2.94K OHM 1% 1/4W 1206 CRCW12062K94FKEB.pdf
3314J-1-202 BOURNS SMD or Through Hole 3314J-1-202.pdf
SG137ATVK/883Q LINFINITY CAN3 SG137ATVK/883Q.pdf
MCM417400BJ6 MC SOJ MCM417400BJ6.pdf
TR2101S IR SOP8 TR2101S.pdf
SPR1L12.5 394J AUK NA SPR1L12.5 394J.pdf
DLW05C-09 MEANWELL DIP DLW05C-09.pdf
LM185H1.2883 NULL NULL LM185H1.2883.pdf
FW241-TL SANYO SMD or Through Hole FW241-TL.pdf
AP2317R-3.3TRG1 BCD SOT-89 AP2317R-3.3TRG1.pdf