창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4969US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 22.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4969US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4969US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BY254P-E3/54 | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | BY254P-E3/54.pdf | |
![]() | YC104-JR-0751KL | RES ARRAY 4 RES 51K OHM 0602 | YC104-JR-0751KL.pdf | |
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![]() | SGA-4586Z-TR1 | SGA-4586Z-TR1 SIRENZA SOT-86 | SGA-4586Z-TR1.pdf | |
![]() | MEM2012P50R0T001 | MEM2012P50R0T001 TDK 4000PCSREEL | MEM2012P50R0T001.pdf | |
![]() | LTADW | LTADW LT MSOP | LTADW.pdf | |
![]() | DEA1X3A151JB2B | DEA1X3A151JB2B MURATA DIP | DEA1X3A151JB2B.pdf | |
![]() | 30V-185 | 30V-185 ORIGINAL SMD or Through Hole | 30V-185.pdf | |
![]() | ECHS1H332JZ3 | ECHS1H332JZ3 PANASONIC SMD or Through Hole | ECHS1H332JZ3.pdf |