창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4969US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 22.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4969US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4969US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1887U1HR30CD01D | 0.30pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1HR30CD01D.pdf | |
![]() | RG3216N-3600-W-T1 | RES SMD 360 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-3600-W-T1.pdf | |
![]() | Y117286R6000A0R | RES SMD 86.6OHM 0.05% 1/10W 0805 | Y117286R6000A0R.pdf | |
![]() | 0805CG120J500NT | 0805CG120J500NT FH/ SMD or Through Hole | 0805CG120J500NT.pdf | |
![]() | PS22G561MSBPF | PS22G561MSBPF HIT DIP | PS22G561MSBPF.pdf | |
![]() | IPA50R350CP | IPA50R350CP Infineon TO-220 | IPA50R350CP.pdf | |
![]() | HD74AC74FPEL | HD74AC74FPEL HITACHI SOP5.2 | HD74AC74FPEL.pdf | |
![]() | 74AHC1G79GW | 74AHC1G79GW PHI SOT23 | 74AHC1G79GW.pdf | |
![]() | S3C44BOX01-EDRO P/B | S3C44BOX01-EDRO P/B SAMSUNG QFP | S3C44BOX01-EDRO P/B.pdf | |
![]() | ENV59K33G3 | ENV59K33G3 ORIGINAL SMD or Through Hole | ENV59K33G3.pdf | |
![]() | TEMSVB1D475M12R | TEMSVB1D475M12R NEC SMD | TEMSVB1D475M12R.pdf | |
![]() | EC4308C-TL-H | EC4308C-TL-H SANYO SMD or Through Hole | EC4308C-TL-H.pdf |