창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC8102CI5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC8102,22 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC8102 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
| 가용 주파수 범위 | 10MHz ~ 460MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | LVPECL | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | - | |
| 주파수 안정도(총) | ±10ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 58mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
| 표준 포장 | 110 | |
| 다른 이름 | 576-4698 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC8102CI5 | |
| 관련 링크 | DSC810, DSC8102CI5 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
| THJC156K020RJN | 15µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2312 (6032 Metric) 1.7 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | THJC156K020RJN.pdf | ||
![]() | CS100N03B4 | CS100N03B4 CS SMD or Through Hole | CS100N03B4.pdf | |
![]() | TEPSLD1C476M12R | TEPSLD1C476M12R NEC SMD or Through Hole | TEPSLD1C476M12R.pdf | |
![]() | EP10K100GC503-3 | EP10K100GC503-3 ALTERA dip | EP10K100GC503-3.pdf | |
![]() | LP2950-50LPR | LP2950-50LPR TI SOT89-5 | LP2950-50LPR.pdf | |
![]() | RE3-6SV331M-T2 | RE3-6SV331M-T2 ELNA SMD or Through Hole | RE3-6SV331M-T2.pdf | |
![]() | 6D28-470UH | 6D28-470UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 6D28-470UH.pdf | |
![]() | EVM3YSX50B55 | EVM3YSX50B55 Panasonic SMD | EVM3YSX50B55.pdf | |
![]() | K9W4G08U0A-iIB0 | K9W4G08U0A-iIB0 SAMSUNG BGA | K9W4G08U0A-iIB0.pdf | |
![]() | SW16355 | SW16355 NA DIE | SW16355.pdf | |
![]() | TA9012S | TA9012S TOS TO220 | TA9012S.pdf | |
![]() | XC4006E-4PQ208I | XC4006E-4PQ208I XILINX SMD or Through Hole | XC4006E-4PQ208I.pdf |