창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSC1001CI1-125.0000T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DSC1001 | |
애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | DSC1001 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 | 125MHz | |
기능 | 대기(절전) | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 8.7mA | |
등급 | AEC-Q100 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DSC1001CI1-125.0000T | |
관련 링크 | DSC1001CI1-1, DSC1001CI1-125.0000T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
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![]() | SQCAEA5R1BATME | 5.1pF 150V 세라믹 커패시터 A 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEA5R1BATME.pdf | |
![]() | 3640CC474KATBE | 0.47µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 3640(9110 미터법) 0.360" L x 0.402" W(9.14mm x 10.20mm) | 3640CC474KATBE.pdf | |
![]() | RLB1014-123KL | 12mH Unshielded Wirewound Inductor 40mA 36 Ohm Max Radial | RLB1014-123KL.pdf | |
![]() | L225J3R0 | RES CHAS MNT 3 OHM 5% 225W | L225J3R0.pdf | |
![]() | RMCF1210FT806K | RES SMD 806K OHM 1% 1/3W 1210 | RMCF1210FT806K.pdf | |
![]() | IR2166STR | IR2166STR IR 16SOICM | IR2166STR.pdf | |
![]() | M5M5V2132GP | M5M5V2132GP N/A QFP-100 | M5M5V2132GP.pdf | |
![]() | 4909RF1K0 | 4909RF1K0 HARR SMD-8 | 4909RF1K0.pdf | |
![]() | CHAV0050J10400000400 | CHAV0050J10400000400 NISSEI SMD or Through Hole | CHAV0050J10400000400.pdf | |
![]() | 2BC3-PR02 | 2BC3-PR02 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2BC3-PR02.pdf | |
![]() | TDK78Q8330-CH | TDK78Q8330-CH TDK PLCC-20 | TDK78Q8330-CH.pdf |