창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DRQ125-820-R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DRQ Series | |
| 제품 교육 모듈 | Shielded Drum Core Inductor Coiltronics DR Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1740 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 어레이, 단일 변압기 | |
| 제조업체 | Eaton | |
| 계열 | DRQ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 코일 개수 | 2 | |
| 유도 용량 - 직렬 연결 | 347.6µH | |
| 유도 용량 - 병렬 연결 | 86.89µH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 - 병렬 | 2.05A | |
| 정격 전류 - 직렬 | 1.03A | |
| 전류 포화 - 병렬 | 2.39A | |
| 전류 포화 - 직렬 | 1.2A | |
| DC 저항(DCR) - 병렬 | 128m옴 | |
| DC 저항(DCR) - 직렬 | 515m옴 | |
| 차폐 | 차폐 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.492" L x 0.492" W(12.50mm x 12.50mm) | |
| 높이 | 0.236"(6.00mm) | |
| 표준 포장 | 600 | |
| 다른 이름 | 513-1295-2 DRQ125-820 DRQ125-820-ND DRQ125-820-R-ND DRQ125-820R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DRQ125-820-R | |
| 관련 링크 | DRQ125-, DRQ125-820-R 데이터 시트, Eaton 에이전트 유통 | |
![]() | FXO-HC535R-29.5 | 29.5MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC535R-29.5.pdf | |
![]() | PC87311VF | PC87311VF NSC QFP | PC87311VF.pdf | |
![]() | RDC-31 | RDC-31 ORIGINAL SMD or Through Hole | RDC-31.pdf | |
![]() | SE3362 | SE3362 SEI SMD or Through Hole | SE3362.pdf | |
![]() | SB450 218S4PASA13G | SB450 218S4PASA13G ATI BGA | SB450 218S4PASA13G.pdf | |
![]() | S1D15607T00C | S1D15607T00C Epson SMD or Through Hole | S1D15607T00C.pdf | |
![]() | TE28F004B3T | TE28F004B3T INTEL IC | TE28F004B3T.pdf | |
![]() | 2SK1719,K1719 | 2SK1719,K1719 TOS TO-252 | 2SK1719,K1719.pdf | |
![]() | BCL9070116 | BCL9070116 INTE DIP-18 | BCL9070116.pdf | |
![]() | RH5V26CA-T1 | RH5V26CA-T1 RICOH SOT-89 | RH5V26CA-T1.pdf | |
![]() | 1N829A-1-1 | 1N829A-1-1 MICROSEMI SMD | 1N829A-1-1.pdf |