창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DRA5123Y0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DRA5123Y View All Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-85 | |
| 공급 장치 패키지 | SMini3-F2-B | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DRA5123Y0L-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DRA5123Y0L | |
| 관련 링크 | DRA512, DRA5123Y0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9001AI-24-33E1-33.30000T | OSC XO 3.3V 33.3MHZ OE 1.0% | SIT9001AI-24-33E1-33.30000T.pdf | |
![]() | HKQ0603W3N3S-T | 3.3nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603W3N3S-T.pdf | |
![]() | RG2012V-103-W-T1 | RES SMD 10K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-103-W-T1.pdf | |
![]() | BCM4401KQLG-P20 | BCM4401KQLG-P20 BROADCOM TQFP | BCM4401KQLG-P20.pdf | |
![]() | YF-C806 | YF-C806 YF SMD or Through Hole | YF-C806.pdf | |
![]() | MB8025615 | MB8025615 FUJ PDIP | MB8025615.pdf | |
![]() | PI3USB10M | PI3USB10M PERICOM TDFN12 | PI3USB10M.pdf | |
![]() | HCF4017BF | HCF4017BF HITACHI SOP | HCF4017BF.pdf | |
![]() | LM2903N/NOPB | LM2903N/NOPB NSC SMD or Through Hole | LM2903N/NOPB.pdf | |
![]() | LT1085CT-3。3 | LT1085CT-3。3 LT SMD or Through Hole | LT1085CT-3。3.pdf | |
![]() | LP3855ESX-2.5 NOPB | LP3855ESX-2.5 NOPB NS SMD or Through Hole | LP3855ESX-2.5 NOPB.pdf |