홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMTH6010SCT

Diodes Incorporated DMTH6010SCT

DMTH6010SCT
제조업체 부품 번호
DMTH6010SCT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMTH6010SCT 가격 및 조달

가능 수량

8580 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 833.97600
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMTH6010SCT 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMTH6010SCT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMTH6010SCT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMTH6010SCT 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMTH6010SCT 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMTH6010SCT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMTH6010SCT
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열자동차, AEC-Q101
포장튜브
부품 현황신제품
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.2m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs36.3nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1940pF @ 30V
전력 - 최대2.8W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
다른 이름DMTH6010SCTDI-5
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMTH6010SCT
관련 링크DMTH60, DMTH6010SCT 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMTH6010SCT 의 관련 제품
5.1nH Unshielded Multilayer Inductor 350mA 400 mOhm Max 0201 (0603 Metric) MLG0603P5N1JT000.pdf
RES SMD 16K OHM 0.25% 1/10W 0603 RT0603CRD0716KL.pdf
RES SMD 464 OHM 0.5% 1/4W 1206 RG3216V-4640-D-T5.pdf
CEM25M0033 ORIGINAL NULL CEM25M0033.pdf
PC74HC139T PHI SMD or Through Hole PC74HC139T.pdf
JS1-6V ARM SMD or Through Hole JS1-6V.pdf
MM54HC240J/883C NSC SMD or Through Hole MM54HC240J/883C.pdf
HCI-5508A-2 HARRIS DIP HCI-5508A-2.pdf
CDRH8D43-6R8NC Sumida SMD CDRH8D43-6R8NC.pdf
V24C3V3H75B Vicor SMD or Through Hole V24C3V3H75B.pdf
DA5-15S05 ORIGINAL N A DA5-15S05.pdf