창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMTH6004SCT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMTH6004SCT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.65m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4556pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | DMTH6004SCTDI-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMTH6004SCT | |
| 관련 링크 | DMTH60, DMTH6004SCT 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C2012X7T2E473M125AA | 0.047µF 250V 세라믹 커패시터 X7T 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7T2E473M125AA.pdf | |
![]() | CGA5K4X7R2J223K130AA | 0.022µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5K4X7R2J223K130AA.pdf | |
![]() | FN2200B-250-99 | FILTER DC EMC/EMI PV INVERT MED | FN2200B-250-99.pdf | |
![]() | 2510-24H | 1µH Unshielded Inductor 418mA 270 mOhm Max 2-SMD | 2510-24H.pdf | |
![]() | OATIABC | OATIABC TI SMD or Through Hole | OATIABC.pdf | |
![]() | CD54HCT4053F | CD54HCT4053F ORIGINAL DIP16 | CD54HCT4053F.pdf | |
![]() | TM1303-1 | TM1303-1 NETD SMD or Through Hole | TM1303-1.pdf | |
![]() | AM430-5 | AM430-5 DATEL CAN8 | AM430-5.pdf | |
![]() | MB88386PFV-GS-BND-EFE1 | MB88386PFV-GS-BND-EFE1 FUJ QFP | MB88386PFV-GS-BND-EFE1.pdf | |
![]() | TB9250N | TB9250N TOSHIBA DIP36 | TB9250N.pdf | |
![]() | MM1580AFBE/R | MM1580AFBE/R MITSUMI SMD or Through Hole | MM1580AFBE/R.pdf | |
![]() | CH314C | CH314C WCH SOP-20 | CH314C.pdf |