창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z7V5C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3Z2V4C-MM3Z75VC | |
| PCN 설계/사양 | SOD323F Material 16/Apr/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1608 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 900nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MM3Z7V5CTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z7V5C | |
| 관련 링크 | MM3Z, MM3Z7V5C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| GBPC2508-E4/51 | DIODE 1PH 25A 800V GBPC | GBPC2508-E4/51.pdf | ||
![]() | WSL2816R1000FEH | RES SMD 0.1 OHM 1% 2W 2816 | WSL2816R1000FEH.pdf | |
![]() | AR0805FR-071K5L | RES SMD 1.5K OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-071K5L.pdf | |
![]() | CYD09S72V18-167BBXC | CYD09S72V18-167BBXC CYPRESS SMD or Through Hole | CYD09S72V18-167BBXC.pdf | |
![]() | HOP-1200W | HOP-1200W HITACHI SMD or Through Hole | HOP-1200W.pdf | |
![]() | MM1572BNRE A21CG | MM1572BNRE A21CG MITSUMI SMD or Through Hole | MM1572BNRE A21CG.pdf | |
![]() | 2SB1184TLQ/R | 2SB1184TLQ/R ROHM SMD or Through Hole | 2SB1184TLQ/R.pdf | |
![]() | 766147102D | 766147102D ORIGINAL SOP | 766147102D.pdf | |
![]() | PRC21133DM/221 | PRC21133DM/221 CMD SOP | PRC21133DM/221.pdf | |
![]() | CL0800BAESJP8PINOSC800 | CL0800BAESJP8PINOSC800 SAMSUNG SMD or Through Hole | CL0800BAESJP8PINOSC800.pdf | |
![]() | PC816-1 | PC816-1 SHARP DIP-4 | PC816-1.pdf |