창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMT8012LPS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMT8012LPS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 65A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1949pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI5060-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMT8012LPS-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMT8012LPS-13 | |
| 관련 링크 | DMT8012, DMT8012LPS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CL21B821KBANNNC | 820pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B821KBANNNC.pdf | |
![]() | GJM1555C1H2R3WB01D | 2.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H2R3WB01D.pdf | |
![]() | RT0402CRD071K3L | RES SMD 1.3KOHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRD071K3L.pdf | |
![]() | TMCMA0G106MTRF | TMCMA0G106MTRF HITACHI SMD | TMCMA0G106MTRF.pdf | |
![]() | 17-05-133-2603 | 17-05-133-2603 ORIGINAL SMD or Through Hole | 17-05-133-2603.pdf | |
![]() | APTGF10X120E2 | APTGF10X120E2 APT APT | APTGF10X120E2.pdf | |
![]() | N8088-2TR | N8088-2TR AMD ORIGINAL | N8088-2TR.pdf | |
![]() | F4001P-2 | F4001P-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | F4001P-2.pdf | |
![]() | AT25160N.si2.7 | AT25160N.si2.7 ATMEL SOP | AT25160N.si2.7.pdf | |
![]() | W681308-AD | W681308-AD NVT SMD or Through Hole | W681308-AD.pdf | |
![]() | UWT1V4R7MC1B | UWT1V4R7MC1B nichicon SMD or Through Hole | UWT1V4R7MC1B.pdf |