창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMS3014SSS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMS3014SSS | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 10.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2296pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.55W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMS3014SSS-13DITR DMS3014SSS13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMS3014SSS-13 | |
관련 링크 | DMS3014, DMS3014SSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | LTP190 | POLYSWITCH STRAP 1.9A HOLD | LTP190.pdf | |
![]() | MURT30060R | DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER | MURT30060R.pdf | |
![]() | VDZT2R33B | DIODE ZENER 33V 100MW VMD2 | VDZT2R33B.pdf | |
![]() | S471K25X5FN63J5R | S471K25X5FN63J5R VISHAY DIP | S471K25X5FN63J5R.pdf | |
![]() | XC5142D2R2G | XC5142D2R2G ON SOP-8 | XC5142D2R2G.pdf | |
![]() | SN54LS74AJ/883 | SN54LS74AJ/883 TI DIP | SN54LS74AJ/883.pdf | |
![]() | MIC5301-3.3BD5 | MIC5301-3.3BD5 MIC SMD or Through Hole | MIC5301-3.3BD5.pdf | |
![]() | NAND225AQA9PZC5E | NAND225AQA9PZC5E Numonyx LFBGA | NAND225AQA9PZC5E.pdf | |
![]() | CA45A D 33UF25V M | CA45A D 33UF25V M ORIGINAL SMD or Through Hole | CA45A D 33UF25V M.pdf | |
![]() | KM6161002CJ15 | KM6161002CJ15 SAMSUNGINDUSTRIALCO SMD or Through Hole | KM6161002CJ15.pdf | |
![]() | 67ZR100LF | 67ZR100LF BI DIP | 67ZR100LF.pdf | |
![]() | MC68332AVEH25 | MC68332AVEH25 Freescale SMD or Through Hole | MC68332AVEH25.pdf |