창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMP22D6UT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMP22D6UT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1573 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 430mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1옴 @ 430mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 175pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-523 | |
공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMP22D6UT7 DMP22D6UTDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMP22D6UT-7 | |
관련 링크 | DMP22D, DMP22D6UT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SIT3907AI-C2-25NB-200.000000T | OSC XO 2.5V 200MHZ | SIT3907AI-C2-25NB-200.000000T.pdf | |
![]() | 3314G-500R | 3314G-500R BOURNS SMD or Through Hole | 3314G-500R.pdf | |
![]() | NEDISS108 | NEDISS108 ORIGINAL TSSOP | NEDISS108.pdf | |
![]() | SR-3550B | SR-3550B RICHCO SMD or Through Hole | SR-3550B.pdf | |
![]() | 8V7/1W/2W/3W/5W | 8V7/1W/2W/3W/5W ON/ST/VISHAY SMD DIP | 8V7/1W/2W/3W/5W.pdf | |
![]() | GRM2165C1H300JZ01D | GRM2165C1H300JZ01D ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM2165C1H300JZ01D.pdf | |
![]() | NMP70249 | NMP70249 ORIGINAL QFP | NMP70249.pdf | |
![]() | 4168A | 4168A CSI BGA | 4168A.pdf | |
![]() | M51690 | M51690 MITSUBISHI SIP | M51690.pdf | |
![]() | SGWJ8BJZA-00 | SGWJ8BJZA-00 SI QFP-208 | SGWJ8BJZA-00.pdf | |
![]() | TAS5611PHD | TAS5611PHD TI HTQFP | TAS5611PHD.pdf | |
![]() | TLP521-1/-2/-4 | TLP521-1/-2/-4 TOS DIP | TLP521-1/-2/-4.pdf |