창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMP2008UFG-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMP2008UFG | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 54A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 12A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6909pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | DMP2008UFG-7DITR DMP2008UFG7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMP2008UFG-7 | |
관련 링크 | DMP2008, DMP2008UFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RG1608N-9760-D-T5 | RES SMD 976 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-9760-D-T5.pdf | |
![]() | CSR2512FT50L0 | RES SMD 0.05 OHM 1% 2W 2512 | CSR2512FT50L0.pdf | |
![]() | B72590-T40-M60 | B72590-T40-M60 EPCOS SMD or Through Hole | B72590-T40-M60.pdf | |
![]() | ADC-505BMM-QL | ADC-505BMM-QL ORIGINAL CDIP | ADC-505BMM-QL.pdf | |
![]() | EX256 TQ100 | EX256 TQ100 ACTEL TQFP | EX256 TQ100.pdf | |
![]() | MB8851AM-G -1191L- | MB8851AM-G -1191L- FUJ DIP-42 | MB8851AM-G -1191L-.pdf | |
![]() | MMSZ4712T1G | MMSZ4712T1G ON SOD-123 | MMSZ4712T1G.pdf | |
![]() | STPR805F | STPR805F ST TO220AF | STPR805F.pdf | |
![]() | THS1206IDARG4R | THS1206IDARG4R TI l | THS1206IDARG4R.pdf | |
![]() | RE2-100V4R7MA-T2 | RE2-100V4R7MA-T2 ELNA SMD or Through Hole | RE2-100V4R7MA-T2.pdf | |
![]() | SMB-201209-T3-300P-SN | SMB-201209-T3-300P-SN TAIWAN SMD or Through Hole | SMB-201209-T3-300P-SN.pdf | |
![]() | BRI8081-7000 | BRI8081-7000 IMP DIP28 | BRI8081-7000.pdf |