창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN2990UFA-7B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN2990UFA | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 510mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 990m옴 @ 100mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 27.6pF @ 16V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-X2-DFN0806 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DMN2990UFA-7BDITR DMN2990UFA7B | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN2990UFA-7B | |
| 관련 링크 | DMN2990, DMN2990UFA-7B 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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| 293D336X9004B2TE3 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 4V 1411 (3528 Metric) 2 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | 293D336X9004B2TE3.pdf | ||
![]() | CMF501M0000FKR6 | RES 1M OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF501M0000FKR6.pdf | |
![]() | KA7910ETU | KA7910ETU FSC TO-220 | KA7910ETU.pdf | |
![]() | ME6206A38PG | ME6206A38PG ME SOT89 | ME6206A38PG.pdf | |
![]() | 8V182512IDGGREP | 8V182512IDGGREP TI SMD or Through Hole | 8V182512IDGGREP.pdf | |
![]() | 130561 | 130561 HAR Call | 130561.pdf | |
![]() | VSC9118VH/E | VSC9118VH/E VITESSE SMD or Through Hole | VSC9118VH/E.pdf | |
![]() | D1802(TO-251/252) | D1802(TO-251/252) ORIGINAL TO252-251 | D1802(TO-251/252).pdf | |
![]() | SSC-HB105-LM | SSC-HB105-LM SEOUL SMD or Through Hole | SSC-HB105-LM.pdf | |
![]() | HD25L168-112G1 | HD25L168-112G1 HITACHI PGA | HD25L168-112G1.pdf | |
![]() | SAK-XC167CI | SAK-XC167CI INFINEON QFP | SAK-XC167CI.pdf |