창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN2300U-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN2300U | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.24A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 175m옴 @ 300mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 64.3pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 430mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN2300U-7DITR DMN2300U7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN2300U-7 | |
| 관련 링크 | DMN230, DMN2300U-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ESR10EZPJ621 | RES SMD 620 OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ621.pdf | |
![]() | RNF14DTD23K2 | RES 23.2K OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTD23K2.pdf | |
![]() | SAK/SAH-C164-8RM | SAK/SAH-C164-8RM Infineon PQFQ-80 | SAK/SAH-C164-8RM.pdf | |
![]() | SY100E195JI | SY100E195JI SYNERGY PLCC | SY100E195JI.pdf | |
![]() | SKT110F02DT | SKT110F02DT SEMIKRON SMD or Through Hole | SKT110F02DT.pdf | |
![]() | S3C9688X16-QZ88 | S3C9688X16-QZ88 SAMSUNG QFP | S3C9688X16-QZ88.pdf | |
![]() | 1777766-1 | 1777766-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1777766-1.pdf | |
![]() | 25940VP | 25940VP ST SOP-8 | 25940VP.pdf | |
![]() | SN74ULN2003AN | SN74ULN2003AN TMS PDIP | SN74ULN2003AN.pdf | |
![]() | BC313143A13-IRK | BC313143A13-IRK CSR BGA | BC313143A13-IRK.pdf |