창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2112SN-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN2112SN | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 3/May/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 220pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SC-59-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN2112SN7 DMN2112SNDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN2112SN-7 | |
관련 링크 | DMN211, DMN2112SN-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | T9AV1D22-12 | T9AV1D22-12 | T9AV1D22-12.pdf | |
![]() | MCS04020D3652BE100 | RES SMD 36.5KOHM 0.1% 1/16W 0402 | MCS04020D3652BE100.pdf | |
![]() | 45288 | 45288 ORIGINAL SOP-8 | 45288.pdf | |
![]() | TLR367T | TLR367T TOS DIP | TLR367T.pdf | |
![]() | TIC266N | TIC266N TI TO-220 | TIC266N.pdf | |
![]() | SG1532L | SG1532L MSC DIP | SG1532L.pdf | |
![]() | FCN-234J096-G/VA | FCN-234J096-G/VA FUJITSU SMD or Through Hole | FCN-234J096-G/VA.pdf | |
![]() | IRF9640S | IRF9640S IR D2PAKTO-263 | IRF9640S .pdf | |
![]() | DSS306-93B102M100M | DSS306-93B102M100M ORIGINAL SMD or Through Hole | DSS306-93B102M100M.pdf | |
![]() | 1108F | 1108F SIE SOP-8 | 1108F.pdf | |
![]() | WRB1512S-1W | WRB1512S-1W SUC SIP | WRB1512S-1W.pdf | |
![]() | CY2308SXC-2+ | CY2308SXC-2+ CY SOP16 | CY2308SXC-2+.pdf |