창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C8V2S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C8V2SDITR BZT52C8V2STR BZT52C8V2STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C8V2S-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C8, BZT52C8V2S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TAP800KR33E | RES CHAS MNT 0.33 OHM 10% 800W | TAP800KR33E.pdf | |
![]() | CMF55357K00FHEK | RES 357K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55357K00FHEK.pdf | |
![]() | MC145554 | MC145554 ORIGINAL DIP | MC145554.pdf | |
![]() | MN101C527CD | MN101C527CD PANASONI QFP | MN101C527CD.pdf | |
![]() | R12063013FT1 | R12063013FT1 HON RES | R12063013FT1.pdf | |
![]() | 22UF 6.3V | 22UF 6.3V ORIGINAL SMD or Through Hole | 22UF 6.3V.pdf | |
![]() | BR1632T2-B | BR1632T2-B RVC SMD or Through Hole | BR1632T2-B.pdf | |
![]() | VO2631-X001 | VO2631-X001 VISHAY DIPSOP | VO2631-X001.pdf | |
![]() | CFPS-39-14.3M | CFPS-39-14.3M IQDFREQUENCYPROD SMD or Through Hole | CFPS-39-14.3M.pdf | |
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![]() | GPC55-5G | GPC55-5G SLPOWER CALL | GPC55-5G.pdf | |
![]() | L0603CR82KSMST | L0603CR82KSMST KEMET SMD | L0603CR82KSMST.pdf |