창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2016LHAB-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN2016LHAB | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.5m옴 @ 4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | U-DFN2030-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN2016LHAB-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN2016LHAB-7 | |
관련 링크 | DMN2016, DMN2016LHAB-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | PS0020BE10136BJ1 | 100pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 R85 축방향, CAN - 나사형 단자 0.984" Dia(25.00mm) | PS0020BE10136BJ1.pdf | |
![]() | 0ZCA0075FF2G | PTC RESTTBLE 0.75A 6V CHIP 1206 | 0ZCA0075FF2G.pdf | |
![]() | RCS0603220RJNEA | RES SMD 220 OHM 5% 1/4W 0603 | RCS0603220RJNEA.pdf | |
![]() | RCWE2512R820JKEA | RES SMD 0.82 OHM 5% 2W 2512 | RCWE2512R820JKEA.pdf | |
![]() | RSF1JT36K0 | RES MO 1W 36K OHM 5% AXIAL | RSF1JT36K0.pdf | |
![]() | L6741TR-ST | L6741TR-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | L6741TR-ST.pdf | |
![]() | HCA8001ABZ | HCA8001ABZ ORIGINAL SOP-28 | HCA8001ABZ.pdf | |
![]() | VC-3R0A50-1 | VC-3R0A50-1 FUJITSU SMD or Through Hole | VC-3R0A50-1.pdf | |
![]() | HM6148P | HM6148P HIT DIP | HM6148P.pdf | |
![]() | QYL-TG-3026-100W | QYL-TG-3026-100W ORIGINAL SMD or Through Hole | QYL-TG-3026-100W.pdf | |
![]() | 6MBP50RA060-01 A50L- | 6MBP50RA060-01 A50L- FUJI SMD or Through Hole | 6MBP50RA060-01 A50L-.pdf | |
![]() | 63314 | 63314 NS TQFP | 63314.pdf |