창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN10H099SFG-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN10H099SFG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 3.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25.2nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1172pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 980mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN10H099SFG-13 | |
관련 링크 | DMN10H099, DMN10H099SFG-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | MR081C335KAA | 3.3µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.490" L x 0.240" W(12.44mm x 6.09mm) | MR081C335KAA.pdf | |
![]() | IXTP02N120P | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | IXTP02N120P.pdf | |
![]() | S1812R-223J | 22µH Shielded Inductor 277mA 2.6 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-223J.pdf | |
![]() | 688-80319654 | 688-80319654 ORIGINAL NA | 688-80319654.pdf | |
![]() | TL084CNN | TL084CNN TI DIP-14 | TL084CNN.pdf | |
![]() | 603504-2 | 603504-2 TYCO SMD or Through Hole | 603504-2.pdf | |
![]() | 35/3-03790-A-00X | 35/3-03790-A-00X ZMDI Call | 35/3-03790-A-00X.pdf | |
![]() | LGS2051D-I | LGS2051D-I LGS SOP20 | LGS2051D-I.pdf | |
![]() | 120K_1%_0.125W | 120K_1%_0.125W HS SMD or Through Hole | 120K_1%_0.125W.pdf | |
![]() | 06033J100FBSTR | 06033J100FBSTR AVX SMD | 06033J100FBSTR.pdf |