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Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13
제조업체 부품 번호
DMN10H099SFG-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 4.2A
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내부 부품 번호EIS-DMN10H099SFG-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMN10H099SFG
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs80m옴 @ 3.3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs25.2nC @ 10V
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1172pF @ 50V
전력 - 최대980mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력WDFN
공급 장치 패키지PowerDI3333-8
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMN10H099SFG-13
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