창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG4N65CTI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMG4N65CTI | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 8.35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | ITO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | DMG4N65CTIDI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMG4N65CTI | |
| 관련 링크 | DMG4N6, DMG4N65CTI 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805CRD073R6L | RES SMD 3.6 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD073R6L.pdf | |
![]() | DAC02ACX1 | DAC02ACX1 AD CDIP18 | DAC02ACX1.pdf | |
![]() | VT826693A | VT826693A VIA BGA | VT826693A.pdf | |
![]() | YM3009 | YM3009 ORIGINAL DIP | YM3009.pdf | |
![]() | F1404N | F1404N IR TO-220 | F1404N.pdf | |
![]() | MSM6378A | MSM6378A OKI SMD or Through Hole | MSM6378A.pdf | |
![]() | IDT79R3071-33MJ | IDT79R3071-33MJ IDT PLCC | IDT79R3071-33MJ.pdf | |
![]() | 54LS30/BDAJC | 54LS30/BDAJC MOT FP-14 | 54LS30/BDAJC.pdf | |
![]() | SSM2122P | SSM2122P ORIGINAL SMD or Through Hole | SSM2122P.pdf | |
![]() | RN2102FT | RN2102FT Toshiba SMD or Through Hole | RN2102FT.pdf | |
![]() | 6126-2060 | 6126-2060 ORIGINAL SOP8 | 6126-2060.pdf | |
![]() | MP9720DS-LF | MP9720DS-LF MPS SMD-8 | MP9720DS-LF.pdf |