창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMG4N65CTI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMG4N65CTI | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 8.35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | ITO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | DMG4N65CTIDI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMG4N65CTI | |
관련 링크 | DMG4N6, DMG4N65CTI 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
SR075A300JAATR1 | 30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR075A300JAATR1.pdf | ||
RT0805CRC0726R1L | RES SMD 26.1 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC0726R1L.pdf | ||
A1395SEHLT-T | IC SENSOR HALL EFF 10MV/G 6MLP | A1395SEHLT-T.pdf | ||
MC74LVX4053DR2 | MC74LVX4053DR2 ORIGINAL DIPSMD | MC74LVX4053DR2.pdf | ||
BUH1015 | BUH1015 ST TO218 | BUH1015.pdf | ||
007, | 007, ORIGINAL SC70-5 | 007,.pdf | ||
M424C257Z-6 | M424C257Z-6 SAMSUNG SIP | M424C257Z-6.pdf | ||
2SD119-Q | 2SD119-Q ORIGINAL SOT89 | 2SD119-Q.pdf | ||
LQW18AN27NJ | LQW18AN27NJ ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW18AN27NJ.pdf | ||
SRU-24VDC-SD-C | SRU-24VDC-SD-C ORIGINAL SMD or Through Hole | SRU-24VDC-SD-C.pdf | ||
LH28F160BVHETTL90 | LH28F160BVHETTL90 SHARP SMD or Through Hole | LH28F160BVHETTL90.pdf |