창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG263010R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMG26301 View All Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74A, SOT-753 | |
| 공급 장치 패키지 | 미니5-G3-B | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMG263010R-ND DMG263010RTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMG263010R | |
| 관련 링크 | DMG263, DMG263010R 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | APTGT100DU120TG | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | APTGT100DU120TG.pdf | |
![]() | RCP2512W560RGTP | RES SMD 560 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W560RGTP.pdf | |
![]() | AB6E-3BV01PRM | AB6E-3BV01PRM IDEC SMD or Through Hole | AB6E-3BV01PRM.pdf | |
![]() | IXUN350N10 | IXUN350N10 IXYS SOT-227B | IXUN350N10.pdf | |
![]() | AT51AD 10.000 | AT51AD 10.000 ORIGINAL SMD | AT51AD 10.000.pdf | |
![]() | C-521E | C-521E PARA ROHS | C-521E.pdf | |
![]() | TOP149Y | TOP149Y POWER/ TO-220-6 | TOP149Y.pdf | |
![]() | RN731JTTD 3321B50 | RN731JTTD 3321B50 KOA SMD or Through Hole | RN731JTTD 3321B50.pdf | |
![]() | C451S1 | C451S1 PRX/GE SMD or Through Hole | C451S1.pdf | |
![]() | 1231AS-H-100M | 1231AS-H-100M TOKO SMD | 1231AS-H-100M.pdf | |
![]() | LM2901AVQPWRG4Q1 | LM2901AVQPWRG4Q1 TI SMD or Through Hole | LM2901AVQPWRG4Q1.pdf |