창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DF3A6.2CT(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DF3A6.2CT | |
| 제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 2 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 3V | |
| 전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 55pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
| 공급 장치 패키지 | CST3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DF3A6.2CT(TPL3)TR DF3A6.2CTTPL3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DF3A6.2CT(TPL3) | |
| 관련 링크 | DF3A6.2CT, DF3A6.2CT(TPL3) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
| SEK101M050ST | 100µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.59 Ohm 2000 Hrs @ 105°C | SEK101M050ST.pdf | ||
![]() | CL10C9R1DB8NNNC | 9.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C9R1DB8NNNC.pdf | |
![]() | 562RCK102EH103MA65 | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 | 562RCK102EH103MA65.pdf | |
![]() | PM628S-100-RC | 10µH Shielded Wirewound Inductor 2A 65 mOhm Max Nonstandard | PM628S-100-RC.pdf | |
![]() | RC2512FK-0732R4L | RES SMD 32.4 OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-0732R4L.pdf | |
![]() | 3150 00490065 | THERMOSTAT LOW SILHOUETTE HERM | 3150 00490065.pdf | |
![]() | 334M50BH | 334M50BH AVX SMD or Through Hole | 334M50BH.pdf | |
![]() | UPD78013GC-606-AB8 | UPD78013GC-606-AB8 NEC QFP | UPD78013GC-606-AB8.pdf | |
![]() | M37470MB207SP | M37470MB207SP MITSUBISHI SMD or Through Hole | M37470MB207SP.pdf | |
![]() | K4H51083QI-HCE6 | K4H51083QI-HCE6 samsung SMD or Through Hole | K4H51083QI-HCE6.pdf | |
![]() | B37871K1471J62 | B37871K1471J62 SM SMD or Through Hole | B37871K1471J62.pdf |