홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DDTD123TU-7-F

Diodes Incorporated DDTD123TU-7-F

DDTD123TU-7-F
제조업체 부품 번호
DDTD123TU-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
데이터 시트 다운로드
다운로드
DDTD123TU-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 68.20067
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DDTD123TU-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DDTD123TU-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DDTD123TU-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DDTD123TU-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDTD123TU-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDTD123TU-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DDTD(zzzz)U
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 11/Nov/2011
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SOT-323
표준 포장 3,000
다른 이름DDTD123TU-7-F-ND
DDTD123TU-7-FDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DDTD123TU-7-F
관련 링크DDTD123, DDTD123TU-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DDTD123TU-7-F 의 관련 제품
C5204 057 ADVANTEST QFP C5204 057.pdf
70S2-04-C-03-v GRAYHILL DIP 70S2-04-C-03-v.pdf
SMT0402MLG1005S10NJT ORIGINAL SMD SMT0402MLG1005S10NJT.pdf
AT25040N-10PC-2.7 AT DIP AT25040N-10PC-2.7.pdf
LANC5059RH WALL DIP24 LANC5059RH.pdf
NC17SZ08XV5T2 ONS SMD or Through Hole NC17SZ08XV5T2.pdf
415322-2 AMP SMD or Through Hole 415322-2.pdf
INA105UA TI SOP8 INA105UA.pdf
SG6481S ORIGINAL SOP8 SG6481S.pdf
A1381ELHT-T ALLEGRO SMD or Through Hole A1381ELHT-T.pdf