창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DDTC114GE-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DDTC1x4GE, DDTC115GE | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | - | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DDTC114GE-FDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DDTC114GE-7-F | |
| 관련 링크 | DDTC114, DDTC114GE-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW121091K0JNEAHP | RES SMD 91K OHM 5% 3/4W 1210 | CRCW121091K0JNEAHP.pdf | |
![]() | 3COM40-0502-003 | 3COM40-0502-003 COM QFP | 3COM40-0502-003.pdf | |
![]() | GK2772.1C | GK2772.1C PATHSCALE BGA | GK2772.1C.pdf | |
![]() | 3DD108 | 3DD108 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3DD108.pdf | |
![]() | 6168SC49.8 | 6168SC49.8 ORIGINAL SMD32 | 6168SC49.8.pdf | |
![]() | FSX-6M-30.000MHZ | FSX-6M-30.000MHZ FUJICOM SMD | FSX-6M-30.000MHZ.pdf | |
![]() | HSMA-S660 | HSMA-S660 H/P SMD or Through Hole | HSMA-S660.pdf | |
![]() | IXF18203EC B1 | IXF18203EC B1 INTEL BGA | IXF18203EC B1.pdf | |
![]() | 282837-3 | 282837-3 TEConnectivity NA | 282837-3.pdf | |
![]() | MAX8141ESA | MAX8141ESA MAXIM SOP8 | MAX8141ESA.pdf | |
![]() | WB1H225M05011PC480 | WB1H225M05011PC480 SAMWHA SMD or Through Hole | WB1H225M05011PC480.pdf |