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Texas Instruments CSD25213W10

CSD25213W10
제조업체 부품 번호
CSD25213W10
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
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내부 부품 번호EIS-CSD25213W10
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD25213W10
PCN 설계/사양DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
제조업체 제품 페이지CSD25213W10 Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs47m옴 @ 1A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.9nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds478pF @ 10V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-UFBGA, DSBGA
공급 장치 패키지4-DSBGA(1x1)
표준 포장 3,000
다른 이름296-40004-2
CSD25213W10-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CSD25213W10
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