창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17506Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17506Q5A | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17506Q5A Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1650pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-28408-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17506Q5A | |
관련 링크 | CSD175, CSD17506Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | RC0402FR-0739R2L | RES SMD 39.2 OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-0739R2L.pdf | |
![]() | P51-3000-S-P-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Male - M20 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-S-P-D-4.5V-000-000.pdf | |
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![]() | SR212A100JARAP2 | SR212A100JARAP2 AVX DIP | SR212A100JARAP2.pdf | |
![]() | 424400-70R | 424400-70R ORIGINAL SOJ | 424400-70R.pdf | |
![]() | PO8030 | PO8030 PIXEL SMD or Through Hole | PO8030.pdf | |
![]() | OP497FS-REEL | OP497FS-REEL ADI Call | OP497FS-REEL.pdf | |
![]() | 31-223 | 31-223 AMPHENOL/WSI SMD or Through Hole | 31-223.pdf | |
![]() | CB105 | CB105 SUNKER SMD or Through Hole | CB105.pdf | |
![]() | 36948 | 36948 ORIGINAL SMD or Through Hole | 36948.pdf |