창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CPH6347-TL-W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CPH6347 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-CPH | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | CPH6347-TL-W-ND CPH6347-TL-WOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CPH6347-TL-W | |
| 관련 링크 | CPH6347, CPH6347-TL-W 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MBA02040C3320FC100 | RES 332 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3320FC100.pdf | |
![]() | SPSWH1S01S1GQ09Y9R | SPSWH1S01S1GQ09Y9R SAMSUNG SMD or Through Hole | SPSWH1S01S1GQ09Y9R.pdf | |
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![]() | IDT71322S70P | IDT71322S70P IDT DIP40 | IDT71322S70P.pdf | |
![]() | KDA476PJ-50 | KDA476PJ-50 SAMSUNG PLCC-32 | KDA476PJ-50.pdf | |
![]() | FMBG22H | FMBG22H SANKEN TO-220F | FMBG22H.pdf | |
![]() | MD1802XF | MD1802XF ST TO-3PF | MD1802XF.pdf | |
![]() | LT1920IN8 | LT1920IN8 LINEAR DIP-8 | LT1920IN8.pdf | |
![]() | 286C93FSC | 286C93FSC ORIGINAL DIP | 286C93FSC.pdf | |
![]() | MAX637AES | MAX637AES ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX637AES.pdf | |
![]() | 5991A-5JGI | 5991A-5JGI IDT SMD or Through Hole | 5991A-5JGI.pdf |