창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL55B475KCJNNNF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL55B475KCJNNNF Characteristics MLCC Catalog | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 4.7µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 2220(5750 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.106"(2.70mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL55B475KCJNNNF | |
| 관련 링크 | CL55B475K, CL55B475KCJNNNF 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | AMCV-0603-090-C300N-T | VARISTOR 13.5V 5A 0603 | AMCV-0603-090-C300N-T.pdf | |
![]() | MBR5H100MFST3G | DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN | MBR5H100MFST3G.pdf | |
![]() | TNPW080573K2BEEN | RES SMD 73.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080573K2BEEN.pdf | |
![]() | CSTCR4M09G53-R0 | CSTCR4M09G53-R0 muRata SMD3 | CSTCR4M09G53-R0.pdf | |
![]() | HH52P-100V | HH52P-100V ORIGINAL DIP | HH52P-100V.pdf | |
![]() | 78M10B | 78M10B ST TO252 | 78M10B.pdf | |
![]() | 7801801EA | 7801801EA ORIGINAL SMD or Through Hole | 7801801EA.pdf | |
![]() | M34283G2GP#U1 | M34283G2GP#U1 Renesas SMD or Through Hole | M34283G2GP#U1.pdf | |
![]() | MB3771P-G-JN | MB3771P-G-JN FUJITSU SMD or Through Hole | MB3771P-G-JN.pdf | |
![]() | MB95F204 | MB95F204 FUJITSU SMD or Through Hole | MB95F204.pdf | |
![]() | VSC7216QX | VSC7216QX ORIGINAL QFP | VSC7216QX.pdf | |
![]() | HB52RF1289E2-75B | HB52RF1289E2-75B HitachiHigh-Technologies Tray | HB52RF1289E2-75B.pdf |