Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL32C223JBHNNNE
-18.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL32C223JBHNNNE
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CL32C223JBHNNNE 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CL32C223JBHNNNE 재고가 있습니다. 우리는 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 전자 부품 전문. CL32C223JBHNNNE 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CL32C223JBHNNNE가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CL32C223JBHNNNE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL32C223JBHNNNE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL32C223JBHNNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL32C223JBHNNNESpec Sheet MLCC Catalog | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.022µF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-3350-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL32C223JBHNNNE | |
| 관련 링크 | CL32C223J, CL32C223JBHNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
CL32C223JBHNNNE 의 관련 제품
 | B25834D4107K4 | 100µF Film Capacitor 600V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 3.118" Dia (79.20mm) | B25834D4107K4.pdf | |
 | LTKAK10-058C | TVS DIODE 58VWM 110VC SMTO218 | LTKAK10-058C.pdf | |
 | ATV30C110JB-HF | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB | ATV30C110JB-HF.pdf | |
 | 416F25013IKR | 25MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25013IKR.pdf | |
| HELLA225511 | HELLA225511 ST SOP | HELLA225511.pdf | |
| LGA0410-471KP52E | LGA0410-471KP52E TDK LD | LGA0410-471KP52E.pdf | |
| BZT55C6V8 | BZT55C6V8 ST LS-34 | BZT55C6V8.pdf | |
| MBCG24173-6182 | MBCG24173-6182 FUJI QFP | MBCG24173-6182.pdf | |
| PZM6.2NB2 6.2V | PZM6.2NB2 6.2V PHI SOT-23 | PZM6.2NB2 6.2V.pdf | |
| 5101/89 | 5101/89 ORIGINAL SOT-89 | 5101/89.pdf | |
| 215R7TZBKA12(ATI 7500) | 215R7TZBKA12(ATI 7500) ATI BGA | 215R7TZBKA12(ATI 7500).pdf | |
| FWIXP425ABC | FWIXP425ABC INTEL BGA | FWIXP425ABC.pdf |