창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL21F105ZAFNNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL21F105ZAFNNNE Spec MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1µF | |
| 허용 오차 | -20%, +80% | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | Y5V(F) | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -30°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.053"(1.35mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-3009-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL21F105ZAFNNNE | |
| 관련 링크 | CL21F105Z, CL21F105ZAFNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
| UPJ0J561MPD1TD | 560µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | UPJ0J561MPD1TD.pdf | ||
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![]() | VJ0805D390FXPAC | 39pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D390FXPAC.pdf | |
![]() | MKP383427025JC02Z0 | 0.27µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | MKP383427025JC02Z0.pdf | |
![]() | LY T67K-J2M1-26-Z | Yellow 587nm LED Indication - Discrete 1.8V 2-PLCC | LY T67K-J2M1-26-Z.pdf | |
![]() | MA4ST2300-1141T | MA4ST2300-1141T MC SMD or Through Hole | MA4ST2300-1141T.pdf | |
![]() | K4J52324QH-JC14 | K4J52324QH-JC14 SAMSUNG BGA | K4J52324QH-JC14.pdf | |
![]() | MAX422CPA | MAX422CPA MAXIM DIP-8 | MAX422CPA.pdf | |
![]() | S3KB-E3 | S3KB-E3 VISHAY DO-214AA | S3KB-E3.pdf | |
![]() | G3M-202P | G3M-202P OMRON SMD or Through Hole | G3M-202P.pdf | |
![]() | MCM6323AST12 | MCM6323AST12 MOT SSOP | MCM6323AST12.pdf |